n256位元(~1969)
lIntel 1101A(1969;為MOS積體電路記憶體最早採用的積體電路): 256´1位元;SRAM積體電路;p-MOS;16 隻腳;資料存取時間(Access Time)為850毫微秒
n1024位元(~1970)
lIntel 1103A(1970;世界第一顆DRAM積體電路): 1024´1位元;DRAM積體電路;p-MOS; ;18隻腳;資料存取時間為300毫微秒
lAdvanced
Microsystems AMS6002:1024´1位元;DRAM積體電路;p-MOS; ;22隻腳;資料存取時間為150毫微秒
n4096位元(~1973)
lIntel
2107A :4096´1位元;DRAM積體電路;n-MOS;
;22隻腳;資料存取時間為300毫微秒
lNEC mPD2114LC:1024´4位元;DRAM積體電路;n-MOS; ;18隻腳;資料存取時間為300毫微秒
n16K位元(~1976)
lMostek
MK4116(1976):8192´2位元;DRAM積體電路;n-MOS; ;16隻腳;資料存取時間為150毫微秒
n64K位元(~1979)
lToshiba
TMM4164:64K´1位元;DRAM積體電路;16隻腳
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